В-клетки памяти развиваются одновременно с плазматическими антителообразующими клетками в апикальном отделе зародышевых центров (рис. 3.123). Источник этих клеток — В-центроциты, прошедшие все стадии развития в базальной зоне зародышевого центра. Это означает, что в них уже реализовались процессы соматического гипермутагенеза, переключения изотипов и созревания аффинитета. В-клетки памяти

Рис. 3.123. Параллельное развитие эффекторных лимфоцитов и клеток памяти. При первичном иммунном ответе одновременно с формированием эффекторных Т-клеток и антителообразующих клеток дифференцируются Т- и В-клетки памяти, не участвующие в первичном иммунном ответе, но обеспечивающие усиление иммунного ответа при повторном поступлении антигена
морфологически не отличаются от наивных В-клеток. Однако последствия вышеупомянутых процессов позволяют отличить их от наивных В-лимфоцитов (см. табл. 2.28). В-клетки памяти несут на своей поверхности IgG, IgA или реже IgE, но не IgD. IgM+ В-клетки памяти образуются лишь в ходе Т-независимого иммунного ответа на ТН-2 антигены. В V-генах иммуноглобулинов в этих клетках выявляются последствия мутационного процесса и их мембранным иммуноглобулинам свойственно более высокое сродство к антигену, чем у наивных В-клеток. В зависимости от стадии развития В-клетки памяти несут на поверхности или лишены рестриктированной формы молекулы СD45 — В220 (у более зрелых В-клеток памяти она отсутствует). В-клетки памяти значительно отличаются от плазматических клеток, прежде всего морфологически, а также локализацией иммуноглобулина на поверхности клетки, а не в цитоплазме, отсутствием секреции антител, наличием разнообразных рецепторных структур на поверхности и отсутствием характерной для плазматических клеток молекулы СD138 (синдикана).
Молекулярная предпосылка дифференцировки В-клеток памяти — ослабление экспрессии внутриклеточного фактора Bcl-6 в отсутствие экспрессии фактора Blimр-1 (условием дифференцировки плазматических клеток наряду с утратой Bcl-6, наоборот, является экспрессия Blimp-1).
Для последующей миграции В-клеток памяти важна смена хемокино - вых рецепторов на поверхности дифференцирующихся клеток: ослабляется экспрессия рецептора CXCR5, обусловливающего задержку клеток в зародышевых центрах, и усиливается экспрессия CXCR4, распознающего хемокин CXCL12, известный также как SDF-1 (Stroma-derived factor 1), продуцируемый стромальными клетками лимфоидных органов и костного мозга. Эти изменения, а также повышение подвижности клеток в значительной степени ответственны за выход В-клеток памяти из зародышевых центров в рециркуляцию и их миграцию в костный мозг.
Срок жизни В-клеток памяти и его зависимость от повторного распознавания антигена точно не установлены, но В-клеточная память сохраняется годами. В связи с этим обсуждают вопрос о возможности причисления к клеткам памяти долгоживущих плазматических клеток, в значительной степени сосредоточенных в костном мозгу и способных мобилизоваться из него при повторной иммунизации. Как известно, срок жизни этих клеток сопоставим с продолжительностью жизни человека и животных (см. раздел 3.6.2.3).